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Rochester Electronics / IRF8707GTRPBF

IRF8707GTRPBF

製造業者識別番号: IRF8707GTRPBF
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: IRF8707 - HEXFET POWERN-CHANNEL
データシート: IRF8707GTRPBF データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズHEXFET®
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C11A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.35V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds760 pF @ 15 V
FET機能-
消費電力(最大)2.5W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ8-SO
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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