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NXP Semiconductors / PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

製造業者識別番号: PMWD19UN,518
メーカー: NXP Semiconductors
説明の一部: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
データシート: PMWD19UN,518 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズTrenchMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスObsolete
FETタイプ2 N-Channel (Dual)
FET機能Logic Level Gate
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30V
電流-連続排水(Id)@ 25°C5.6A
Rds On(Max)@ Id、Vgs23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id700mV @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs28nC @ 5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1478pF @ 10V
パワー-最大2.3W
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSSOP
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