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ROHM Semiconductor / BSM300C12P3E301
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BSM300C12P3E301
| 製造業者識別番号: | BSM300C12P3E301 |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| 説明の一部: | SICFET N-CH 1200V 300A MODULE |
| データシート: | BSM300C12P3E301 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | - |
| パッケージ | Bulk |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 1200 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 300A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.6V @ 80mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | +22V, -4V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500 pF @ 10 V |
| FET機能 | Standard |
| 消費電力（最大） | 1360W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | - |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
| パッケージ/ケース | Module |
オプションの購入
在庫状況: 3
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
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