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ROHM Semiconductor / BSM180D12P2E002
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BSM180D12P2E002
| 製造業者識別番号: | BSM180D12P2E002 |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| 説明の一部: | 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO |
| データシート: | BSM180D12P2E002 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | - |
| パッケージ | Bulk |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 204A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 35.2mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18000pF @ 10V |
| パワー-最大 | 1360W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
オプションの購入
在庫状況: 8
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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