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製造業者識別番号: | NJX1675PDR2G |
メーカー: | Rochester Electronics |
説明の一部: | POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP |
データシート: | NJX1675PDR2G データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | - |
パッケージ | Bulk |
部品ステータス | Obsolete |
トランジスタタイプ | NPN, PNP |
電流-コレクター(Ic)(最大) | 3A |
電圧-コレクターエミッターの内訳(最大) | 30V |
Vce Saturation(Max)@ Ib、Ic | 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A |
電流-コレクターカットオフ(最大) | 100nA (ICBO) |
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 180 @ 1A, 2V |
パワー-最大 | 2W |
周波数-遷移 | 100MHz, 120MHz |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |