IR (Infineon Technologies) / SPP20N65C3HKSA1
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SPP20N65C3HKSA1
| 製造業者識別番号: | SPP20N65C3HKSA1 |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
| データシート: | SPP20N65C3HKSA1 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | CoolMOS™ |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 20.7A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 1mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 208W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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