IR (Infineon Technologies) / SPB18P06PGATMA1
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SPB18P06PGATMA1
| 製造業者識別番号: | SPB18P06PGATMA1 |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK |
| データシート: | SPB18P06PGATMA1 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | SIPMOS® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 60 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 18.7A (Ta) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 860 pF @ 25 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 81.1W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
在庫状況: 4
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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