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ROHM Semiconductor / R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

製造業者識別番号: R6030ENZ1C9
メーカー: ROHM Semiconductor
説明の一部: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
データシート: R6030ENZ1C9 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)600 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C30A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs85 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds2100 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)120W (Tc)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-247
パッケージ/ケースTO-247-3
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