Vishay / Siliconix / SIRA12BDP-T1-GE3
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SIRA12BDP-T1-GE3
| 製造業者識別番号: | SIRA12BDP-T1-GE3 |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 |
| データシート: | SIRA12BDP-T1-GE3 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 27A (Ta), 60A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | +20V, -16V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1470 pF @ 15 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 5W (Ta), 38W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
在庫状況: 2422
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
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貨物計算
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