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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A

製造業者識別番号: RFD16N06LESM9A
メーカー: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
説明の一部: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
データシート: RFD16N06LESM9A データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C16A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs62 nC @ 10 V
Vgs(最大)+10V, -8V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1350 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)90W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージTO-252AA
パッケージ/ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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