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IR (Infineon Technologies) / IMBG120R140M1HXTMA1

IMBG120R140M1HXTMA1

製造業者識別番号: IMBG120R140M1HXTMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263
データシート: IMBG120R140M1HXTMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolSiC™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)1.2 kV
電流-連続排水(Id)@ 25°C18A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)-
Rds On(Max)@ Id、Vgs189mOhm @ 6A, 18V
Vgs(th)(Max)@ Id5.7V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs13.4 nC @ 18 V
Vgs(最大)+18V, -15V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds491 pF @ 800 V
FET機能Standard
消費電力(最大)107W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-7-12
パッケージ/ケースTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
オプションの購入

在庫状況: 932

最小: 1

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