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Rochester Electronics / IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

製造業者識別番号: IPB120N06S403ATMA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
データシート: IPB120N06S403ATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージBulk
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C120A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 120µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs160 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds13.15 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)167W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2
パッケージ/ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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