Vishay / Siliconix / SISH536DN-T1-GE3
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SISH536DN-T1-GE3
| 製造業者識別番号: | SISH536DN-T1-GE3 |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| 説明の一部: | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | TrenchFET® Gen V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | +16V, -12V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1150 pF @ 15 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SH |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8SH |
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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