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IR (Infineon Technologies) / IPP06CN10LGXKSA1
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IPP06CN10LGXKSA1
| 製造業者識別番号: | IPP06CN10LGXKSA1 |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| データシート: | IPP06CN10LGXKSA1 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- IR (Infineon Technologies) IPP06CN10LGXKSA1 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | OptiMOS™ |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 100A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 180µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11900 pF @ 50 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 214W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
オプションの購入
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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貨物計算
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エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
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