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Rochester Electronics / FDD5810

FDD5810

製造業者識別番号: FDD5810
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
データシート: FDD5810 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C7.4A (Ta), 37A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs22mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs34 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1.89 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)72W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージD-PAK (TO-252)
パッケージ/ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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