Rochester Electronics / FDFME2P823ZT
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FDFME2P823ZT
| 製造業者識別番号: | FDFME2P823ZT |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| 説明の一部: | 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET |
| データシート: | FDFME2P823ZT データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | PowerTrench® |
| パッケージ | Bulk |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 20 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 2.6A (Ta) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 405 pF @ 10 V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 1.4W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad |
在庫状況: 40000
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
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