画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
製造業者識別番号: | PHM25NQ10T,518 |
メーカー: | NXP Semiconductors |
説明の一部: | MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON |
データシート: | PHM25NQ10T,518 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | TrenchMOS™ |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 100 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 30.7A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 30mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 26.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1800 pF @ 20 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 62.5W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-HVSON (6x5) |
パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |