Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN22006NH,LQ
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TPN22006NH,LQ
| 製造業者識別番号: | TPN22006NH,LQ |
| メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON |
| データシート: | TPN22006NH,LQ データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | U-MOSVIII-H |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 60 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 9A (Ta) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 100µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 710 pF @ 30 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
在庫状況: 993
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
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貨物計算
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エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
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