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IR (Infineon Technologies) / BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1

製造業者識別番号: BSS209PWH6327XTSA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
データシート: BSS209PWH6327XTSA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)20 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C630mA (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs550mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id1.2V @ 3.5µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs1.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)±12V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds115 pF @ 15 V
FET機能-
消費電力(最大)300mW (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT323-3
パッケージ/ケースSC-70, SOT-323
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