RS1E200BNTB

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	-
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	30 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	20A (Ta)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	3100 pF @ 15 V
FET機能	-
消費電力（最大）	3W (Ta), 25W (Tc)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-HSOP
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN

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