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Rochester Electronics / IRFS59N10DTRLP

IRFS59N10DTRLP

製造業者識別番号: IRFS59N10DTRLP
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2
データシート: IRFS59N10DTRLP データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズHEXFET®
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)100 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C59A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)-
Rds On(Max)@ Id、Vgs25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs114 nC @ 10 V
Vgs(最大)±30V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds2450 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)3.8W (Ta), 200W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2
パッケージ/ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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