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IR (Infineon Technologies) / IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

製造業者識別番号: IPB011N04NGATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
データシート: IPB011N04NGATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)40 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C180A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds20000 pF @ 20 V
FET機能-
消費電力(最大)250W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-7-3
パッケージ/ケースTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
オプションの購入

在庫状況: 2

最小: 1

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