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IR (Infineon Technologies) / IPD60R650CEBTMA1

IPD60R650CEBTMA1

製造業者識別番号: IPD60R650CEBTMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
データシート: IPD60R650CEBTMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™ CE
パッケージTape & Reel (TR)
部品ステータスDiscontinued at Digi-Key
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)600 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C7A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3.5V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs20.5 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds440 pF @ 100 V
FET機能-
消費電力(最大)82W (Tc)
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO252-3
パッケージ/ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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