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IR (Infineon Technologies) / IPW65R070C6FKSA1

IPW65R070C6FKSA1

製造業者識別番号: IPW65R070C6FKSA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
データシート: IPW65R070C6FKSA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™
パッケージTube
部品ステータスNot For New Designs
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)650 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C53.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs70mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3.5V @ 1.76mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs170 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds3900 pF @ 100 V
FET機能-
消費電力(最大)391W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO247-3
パッケージ/ケースTO-247-3
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