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製造業者識別番号: | SIAA00DJ-T1-GE3 |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
説明の一部: | MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK |
データシート: | SIAA00DJ-T1-GE3 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 25 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 20.1A (Ta), 40A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | +16V, -12V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1090 pF @ 12.5 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Single |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 |