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製造業者識別番号: | FDI150N10 |
メーカー: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
説明の一部: | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
データシート: | FDI150N10 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | PowerTrench® |
パッケージ | Tube |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 100 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 57A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 16mOhm @ 49A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 69 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4760 pF @ 25 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 110W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |