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製造業者識別番号: | EPC2012C |
メーカー: | EPC |
説明の一部: | GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
データシート: | EPC2012C データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | eGaN® |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 200 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 5A (Ta) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 1.3 nC @ 5 V |
Vgs(最大) | +6V, -4V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 140 pF @ 100 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | Die Outline (4-Solder Bar) |
パッケージ/ケース | Die |