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Vishay / Siliconix / SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

製造業者識別番号: SI3430DV-T1-GE3
メーカー: Vishay / Siliconix
説明の一部: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
データシート: SI3430DV-T1-GE3 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)100 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C1.8A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs6.6 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds-
FET機能-
消費電力(最大)1.14W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ6-TSOP
パッケージ/ケースSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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