SI1050X-T1-GE3

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package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	8 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	1.34A (Ta)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	11.6 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±5V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	585 pF @ 4 V
FET機能	-
消費電力（最大）	236mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-89-6
パッケージ/ケース	SOT-563, SOT-666

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