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製造業者識別番号: | IPB22N03S4L15ATMA1 |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
説明の一部: | MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 |
データシート: | IPB22N03S4L15ATMA1 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | OptiMOS™ |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 30 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 22A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 14.6mOhm @ 22A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.2V @ 10µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±16V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 980 pF @ 25 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 31W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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最小: 1
量 | 単価 | 内線 価格 |
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