Choose a language
+1(337)-398-8111
Live-Chat
注文追跡
日本語
IR (Infineon Technologies) / IPS65R1K0CEAKMA2
画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
IPS65R1K0CEAKMA2
| 製造業者識別番号: | IPS65R1K0CEAKMA2 |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3 |
| データシート: | IPS65R1K0CEAKMA2 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 述べる
- IR (Infineon Technologies) IPS65R1K0CEAKMA2 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。
仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | CoolMOS™ CE |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 7.2A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 200µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 328 pF @ 100 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 68W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO251-3-342 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
オプションの購入
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
||
貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
人気モデル
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
カートに追加されました！
このアイテムはカートに追加されました。