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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK7J90E,S1E

TK7J90E,S1E

製造業者識別番号: TK7J90E,S1E
メーカー: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明の一部: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
データシート: TK7J90E,S1E データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズπ-MOSVIII
パッケージTube
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)900 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C7A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs32 nC @ 10 V
Vgs(最大)±30V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1350 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)200W (Tc)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-3P(N)
パッケージ/ケースTO-3P-3, SC-65-3
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在庫状況: 12

最小: 1

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TK7J90E,S1E

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