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Vishay / Siliconix / SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

製造業者識別番号: SI6473DQ-T1-GE3
メーカー: Vishay / Siliconix
説明の一部: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
データシート: SI6473DQ-T1-GE3 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズTrenchFET®
パッケージTape & Reel (TR)
部品ステータスObsolete
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)20 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C6.2A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs70 nC @ 5 V
Vgs(最大)±8V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds-
FET機能-
消費電力(最大)1.08W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSSOP
パッケージ/ケース8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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