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Rochester Electronics / IPI110N20N3GAKSA1

IPI110N20N3GAKSA1

製造業者識別番号: IPI110N20N3GAKSA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
データシート: IPI110N20N3GAKSA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)200 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C88A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs11mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 270µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs87 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds7.1 pF @ 100 V
FET機能-
消費電力(最大)300W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO262-3
パッケージ/ケースTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
オプションの購入

在庫状況: 11795

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