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Rochester Electronics / IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

製造業者識別番号: IPI020N06NAKSA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
データシート: IPI020N06NAKSA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C29A (Ta), 120A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.8V @ 143µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs106 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds7.8 pF @ 30 V
FET機能-
消費電力(最大)3W (Ta), 214W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO262-3-1
パッケージ/ケースTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
オプションの購入

在庫状況: 20420

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