GA06JT12-247

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package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	-
パッケージ	Tube
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	1200 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	6A (Tc) (90°C)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	220mOhm @ 6A
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	-
Vgs（最大）	-
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
FET機能	-
消費電力（最大）	-
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-247AB
パッケージ/ケース	TO-247-3

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