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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQI4N20LTU

FQI4N20LTU

製造業者識別番号: FQI4N20LTU
メーカー: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
説明の一部: MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
データシート: FQI4N20LTU データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズQFET®
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)200 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C3.8A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs5.2 nC @ 5 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds310 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)3.13W (Ta), 45W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージI2PAK (TO-262)
パッケージ/ケースTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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