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Vishay / Siliconix / SIS612EDNT-T1-GE3
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SIS612EDNT-T1-GE3
| 製造業者識別番号: | SIS612EDNT-T1-GE3 |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S |
| データシート: | SIS612EDNT-T1-GE3 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | TrenchFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 20 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 50A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.9mOhm @ 14A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.2V @ 1mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2060 pF @ 10 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8S |
オプションの購入
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最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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