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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

製造業者識別番号: TPN4R203NC,L1Q
メーカー: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明の一部: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
データシート: TPN4R203NC,L1Q データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズU-MOSVIII
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C23A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.3V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs24 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1370 pF @ 15 V
FET機能-
消費電力(最大)700mW (Ta), 22W (Tc)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース8-PowerVDFN
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