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Rochester Electronics / FQU1N80TU

FQU1N80TU

製造業者識別番号: FQU1N80TU
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 800V 1A I-PAK
データシート: FQU1N80TU データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズQFET®
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)800 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C1A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs7.2 nC @ 10 V
Vgs(最大)±30V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds195 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージI-PAK
パッケージ/ケースTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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在庫状況: 7391

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