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製造業者識別番号: | PSMN2R0-60ES,127 |
メーカー: | Rochester Electronics |
説明の一部: | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF |
データシート: | PSMN2R0-60ES,127 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | - |
パッケージ | Tube |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 60 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 120A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.2mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 137 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9.997 pF @ 30 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 338W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | I2PAK |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |