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IR (Infineon Technologies) / IPB80P03P405ATMA1

IPB80P03P405ATMA1

製造業者識別番号: IPB80P03P405ATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
データシート: IPB80P03P405ATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)
部品ステータスNot For New Designs
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C80A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 253µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs130 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds10300 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)137W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2
パッケージ/ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
オプションの購入

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