CSD23202W10T

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	NexFET™
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	12 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	2.2A (Ta)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	3.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	-6V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	512 pF @ 6 V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース	4-UFBGA, DSBGA

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