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製造業者識別番号: | IMW65R107M1HXKSA1 |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
説明の一部: | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | - |
パッケージ | Tube |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | - |
技術 | - |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | - |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 20A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | - |
Vgs(最大) | - |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
動作温度 | - |
取付タイプ | - |
サプライヤーデバイスパッケージ | - |
パッケージ/ケース | - |