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Vishay / Siliconix / SI4752DY-T1-GE3
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SI4752DY-T1-GE3
| 製造業者識別番号: | SI4752DY-T1-GE3 |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 30V 25A 8SO |
| データシート: | SI4752DY-T1-GE3 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Vishay / Siliconix SI4752DY-T1-GE3 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | SkyFET®, TrenchFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 25A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 1mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| FET機能 | Schottky Diode (Body) |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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