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IR (Infineon Technologies) / IPP50R399CPHKSA1

IPP50R399CPHKSA1

製造業者識別番号: IPP50R399CPHKSA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
データシート: IPP50R399CPHKSA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™
パッケージTube
部品ステータスDiscontinued at Digi-Key
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)560 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C9A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3.5V @ 330µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs23 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds890 pF @ 100 V
FET機能-
消費電力(最大)83W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO220-3-1
パッケージ/ケースTO-220-3
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