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Rochester Electronics / FQAF6N80

FQAF6N80

製造業者識別番号: FQAF6N80
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
データシート: FQAF6N80 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズQFET®
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)800 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C4.4A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs31 nC @ 10 V
Vgs(最大)±30V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1.5 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)90W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-3PF
パッケージ/ケースTO-3P-3 Full Pack
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