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GeneSiC Semiconductor / G3R20MT12N

G3R20MT12N

製造業者識別番号: G3R20MT12N
メーカー: GeneSiC Semiconductor
説明の一部: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
データシート: G3R20MT12N データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズG3R™
パッケージTube
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)1200 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C105A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)15V
Rds On(Max)@ Id、Vgs24mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th)(Max)@ Id2.69V @ 15mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs219 nC @ 15 V
Vgs(最大)+20V, -10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds5873 pF @ 800 V
FET機能-
消費電力(最大)365W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージSOT-227
パッケージ/ケースSOT-227-4, miniBLOC
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