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製造業者識別番号: | PMXB360ENEAZ |
メーカー: | Nexperia |
説明の一部: | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
データシート: | PMXB360ENEAZ データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 80 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 1.1A (Ta) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 450mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.7V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 130 pF @ 40 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | DFN1010D-3 |
パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad |