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IR (Infineon Technologies) / SPI10N10L

SPI10N10L

製造業者識別番号: SPI10N10L
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3
データシート: SPI10N10L データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズSIPMOS®
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)100 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C10.3A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs154mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 21µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs22 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds444 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)50W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO262-3-1
パッケージ/ケースTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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